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ハイブリッドIC 厚膜薄膜応用製品｜THICK AND THIN FILM HYBRID ICs

製品紹介

長年培った厚膜、薄膜技術を駆使し、高集積度、高信頼性のハイブリッドICを安価に製作致します。

厚膜ハイブリッド ICのみならず、ローコストで応用力の広い厚膜と高精度、高安定な薄膜を同一基板上で組合わせることにより、さまざまな機能回路ユニットの御要求に応じられます。

特長

  • 高密度、高集積化
  • 高信頼性
  • 厚膜薄膜の特長を生かした高機能性
  • ファンクショントリミングも可能です。
  • 多様なニーズにお応えします。

用途

  • 電話機
  • 通信機器
  • TV、VTR
  • 通信機器
  • ビデオカメラ
  • カメラ、ミシン
  • OA機器
  • SW機器
  • 車載電装品
  • 計測器
  • モーター回路
  • 医療機器

構造

ハイブリッドIC 厚膜薄膜応用製品 の構造図

構成部品

部品 部品情報
基板 アルミナセラミック
エポキシ銅張積層板
フェノール銅張積層板
導体 薄膜 ニッケル、銅、Ni、Cu
厚膜 銀パラジウム、金、銅、Ag-pd、Au、Cu
抵抗体 印刷 厚膜 Ruo2　10～10MΩ　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
メッキ 薄膜 Ni-P　0.1～10Ω　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
チップ抵抗 角チップ Ni-P　0.1～10Ω　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
メルフ Ni-P　0.1～10Ω　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
コンデンサ チップコンデンサ セラミック Ruo2　10～10MΩ　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
タンタル Ni-P　0.1～10Ω　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
半導体 ディスクリート品 SOP Ruo2　10～10MΩ　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
ICs DIP,SOP,PLCC,QFC Ni-P　0.1～10Ω　Tol.1～5%
T.C.R.100,200ppm/℃　60mW/mm2
その他 チップタイプ インダクタ、サーミスタ、バリスタ、センサ
端子 リードフレーム、ピッチ:2.54, 1.27
外装 エポキシ　UL94V1認定品

開発手順

開発要請・構成検討・見積り(4日～7日)・開発契約・試作(20日)・評価・承認図交換・量産(30日)

厚膜、薄膜応用製品

応用製品 説明
温度センサ 正温度持性はニッケル、白金の薄膜型、負温度持性は厚膜型、薄膜型にて各種条件の温度センサにお応えできます。
高磁波防止加工 プラスチック等絶縁材料に付与した金属皮膜が電磁波を吸収します。密着性、耐蝕性に優れ、どのような形状にも対応可能です。
透明伝導体 熱分解による酸化スズ(SnO2)導電薄膜です。ITO膜に比べ密着性、耐熱性に優れ、どのような形状にも対応可能です。
その他 耐熱性保護膜、耐薬品性保護膜、耐磨耗性保護膜等について技術を蓄積しております。
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